梶君(M1)がSiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会で講演奨励賞を受賞 投稿日: 2012年11月20日 投稿者: kimoto 応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第21回講演会において、梶直樹君(修士課程1回生)がSiC高耐圧pinダイオードの発表で講演奨励賞を受賞しました。