SiC半導体で問題になっていた酸化膜/半導体界面欠陥を独自の手法で低減すると共に、
実用上重要な結晶面（無極性面）を活用することで、SiCトランジスタ(MOSFET)の性能を
6倍以上向上することに成功しました。
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Yahoo News（リンク）、
日刊工業新聞（リンク）、
EE Times（リンク）、
マイナビニュース（リンク）などに掲載されました。