低損失パワー半導体として有望なSiCで20年来の課題であった酸化膜/SiC界面欠陥を独自の概念、手法により、従来のベストに比べて1/10に低減することに成功しました。詳しくはこちら。

http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2020/200821_1.html

電波新聞（リンク）、日刊工業新聞、Yahoo News（リンク）、日経XTECH（リンク）、EE Times（リンク）などに掲載されました。