シンポジウム講演
S.18 転位研究の最前線 ～材料を超えた視点から見えてくるもの～
09/07(木) 16:45 17:15 招 7p-A201-9
SiCの材料・デバイス特性から見た転位
〇木本恒暢1
1京大工
S.17 窒化物半導体特異構造の科学 ～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～
09/06(水) 13:40 14:10 招 6p-A301-3
GaN縦型パワーデバイスにおける点欠陥制御の重要性
〇須田 淳1,2,3 堀田 昌宏3
1.名大院工 2.名大未来材料シス研 3.京大院工
一般講演
15.6 IV族系化合物 (SiC)
09/05(火) 11:15 11:30 5a-A203-9
SiC MOSFETにおける短チャネル効果に関する実験的研究
〇(M1)立木 馨大1 小野 貴央1 小林 拓真1 木本 恒暢1
1.京大院工
6.3 酸化物エレクトロニクス
09/05(火) 14:30 14:45 5p-A202-6
Pt/NiO/Pt積層構造におけるNiOの結晶性とフォーミング特性との相関
〇西 佑介1 木本 恒暢1
1.京大院工
6.3 酸化物エレクトロニクス
09/05(火) 15:00 15:15 5p-A202-8
Pt/TiO2/Pt抵抗変化素子のフォーミング過程における高抵抗化
〇松井 亮祐1 栗山 豊1 西 佑介1 木本 恒暢1
1.京大院工
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09/05(火) 15:15 15:30 5p-C17-8
GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収
〇前田 拓也1 成田 哲生2,3 兼近 将一2 上杉 勉2, 加地 徹3 木本 恒暢1 堀田 昌宏1 須田 淳1,3,4
1.京大院工 2.豊田中央研究所 3.名大未来材料・システム研究所 4.名大院工
15.6 IV族系化合物 (SiC)
09/06(水) 10:15 10:30 6a-A201-6
半絶縁性基板上にイオン注入で作製したnおよびpチャネルJFETの400℃動作
〇金子 光顕1 木本 恒暢1
1.京大院工
15.6 IV族系化合物 (SiC)
09/06(水) 11:00 11:15 6a-A201-8
SiC バイポーラトランジスタにおけるベース拡がり抵抗によるオン特性悪化を防ぐための設計条件
〇浅田 聡志1 須田 淳1 木本 恒暢1
1.京大院工
15.6 IV族系化合物 (SiC)
09/06(水) 11:15 11:30 E 6a-A201-9
Analysis of breakdown phenomena in 4H-SiC p-n junction diodes with a wide range of doping concentration
〇(M1)XILUN CHI1 Hiroki Niwa1 Tsunenobu Kimoto1
1.Kyoto Univ.
15.6 IV族系化合物 (SiC)
09/06(水) 14:15 14:30 6p-A201-4
4H-SiC中のシングルショックレー型積層欠陥の拡大/縮小現象解明を目指したエネルギーモデル
〇飯島 彬文1 須田 淳1 木本 恒暢1
1.京大院工
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09/07(木) 10:00 10:15 7p-S22-5
空乏層端部の電子分布を考慮した光等温過渡容量分光法によるn型GaNホモエピタキシャル成長層中の正孔トラップの評価
〇鐘ヶ江 一孝1 堀田 昌宏1 木本 恒暢1 須田 淳1,2,3
1.京大院工 2.名大 未来材料・システム研究所 3.名大院工
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09/07(木) 10:30 10:45 7p-S22-6
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位のアニール挙動
〇堀田 昌宏1 成田 哲生2,3 加地 徹3 上杉 勉2 須田淳1,3,4
1.京大院工 2.豊田中研 3.名大材料シス研 4.名大院工