招待講演

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
03/18 (日) 9:00-9:15 18a-C302-1
Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用した
GaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の測定
〇前田 拓也1, 成田 哲生2, 兼近 将一2, 上杉勉2, 加地徹3, 堀田 昌宏1, 木本 恒暢1, 須田 淳1,3,4
1. 京大院工, 2. 豊田中央研究所, 3. 名大未来材料・システム研究所, 4. 名大院工
1京大院工

一般講演

6.3 酸化物エレクトロニクス
03/18(日) 17:30 17:45 18p-C102-15
異なる結晶性を有するTiO2​薄膜を用いたPt/TiO2/Pt抵抗変化素子の電気的特性の評価
〇(B)荒畑雅也1 西佑介1 木本 恒暢1
1.京大工

6.3 酸化物エレクトロニクス
03/18(日) 17：45 18:00 18p-C102-16
Ta2O5を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚 依存性
〇宮谷 俊輝, 西 佑介, 木本 恒暢
京大工

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
03/19(月) 9:15 9:30 19a-C302-2
ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価
〇鐘ヶ江 一孝1 堀田 昌宏1 木本 恒暢1 須田 淳1,2,3
1.京大院工 2.名大 未来材料・システム研究所 3.名大院工

15.6 IV族系化合物 (SiC)
03/19(月) 16:30 16:45 19p-D103-12
レート方程式を用いたSiCにおけるキャリア寿命の理論解析
〇山下昇真1 I. D. Booker1 木本 恒暢1
1 京大工

15.6 IV族系化合物（SiC）
03/20(火) 14:00 14:15 20p-D103-4
SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価
〇伊藤 滉二1 立木 馨大1 小林 拓真1 堀田 昌宏1 須田 淳1 木本 恒暢1
1.京大工

15.6 Ⅳ族系化合物 (SiC)
03/20(火) 14:15 14:30 20p-D103-5
SiC MOSFETにおける界面準位が短チャネル効果に及ぼす影響
〇立木 馨大1 小野 貴央1 小林 拓真1 木本 恒暢1
1.京大院工

15.6 IV族系化合物（SiC）
03/20(火) 15:45 16:00 20p-D103-10
半絶縁性SiC基板へのイオン注入によるノーマリオフ n-JFETおよびp-JFETの作製
〇中島 誠志1 , 金子 光顕1 , 木本 恒暢1
1.京大工