シンポジウム講演

パワーデバイスの最新動向と今後の展望
3月16日(火) 14:15 〜 14:45 [16p-Z07-3]
SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展
〇木本 恒暢1、小林 拓真1,2、立木 馨大1、松下 雄一郎2 (1.京大工、2.東工大)

一般講演

6.3 酸化物エレクトロニクス
3月19日(金) 17:15 〜 17:30 [19p-Z14-15]
Ni/Ta₂O₅/TiN素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化
〇(D)宮谷 俊輝1、山田 和尚1、木本 恒暢1、西 佑介1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

15.6 IV族系化合物（SiC）
3月18日(木) 13:30 〜 13:45 [18p-Z05-1]
高温動作SiC相補型JFET論理ゲートの論理閾値電圧の温度変化抑制に関する理論的検討
〇金子 光顕1、中島 誠志1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

3月18日(木) 13:45 〜 14:00 [18p-Z05-2]
Sイオン注入n型SiC層のHall効果測定によるSドナーの評価
〇(B)松岡 大雅1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大工)

3月18日(木) 14:15 〜 14:30 [18p-Z05-4]
[講演奨励賞受賞記念講演] 水素エッチングとSiO₂堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO₂界面の形成
〇立木 馨大1、金子 光顕1、小林 拓真1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

3月18日(木) 14:30 〜 14:45 [18p-Z05-5]
様々なボディ層ドナー密度を有する 4H-SiC(0001) pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価
〇三上 杏太1、伊藤 滉二1、立木 馨大1、木本 恒暢1 (1.京大工)

3月18日(木) 14:45 〜 15:00 [18p-Z05-6]
リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性
〇(D)伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)