一般講演
6.3 酸化物エレクトロニクス
9月12日(日) 13:45 〜 14:00 [12p-S203-4]
Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性
〇(DC)宮谷 俊輝1、木本 恒暢1、西 佑介1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)
9月12日(日) 14:00 〜 14:15 [12p-S203-5]
Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx界面を有する抵抗変化素子における初期リセット電圧の低減
〇井室 充登1、木本 恒暢1、西 佑介1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)
13.5 デバイス／配線／集積化技術
9月12日(日) 09:30 〜 09:45 [12a-N304-3]
様々な方位および断面サイズを有する長方形断面GeSn ナノワイヤ の電子状態解析
〇佐藤 瑞起1、田中 一1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工)
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
9月11日(土) 16:00 〜 16:15 [11p-N305-10]
相補型JFETによる高温動作IC設計に向けたSiC JFETのデバイスモデル構築
〇前田 憲幸1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
9月12日(日) 10:00 〜 10:15 [12a-N305-5]
金属/高濃度ドープSiCショットキー界面における電気伝導機構の解析
〇原 征大1、田中 一1,2、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9月10日(金) 14:30 〜 14:45 [10p-S202-6]
4H-SiCにおける電子移動度の異方性
〇石川 諒弥1、原 征大1、田中 一1,2、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工)