金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌にて発表した論文「“SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K,” IEEE Electron Device Lett., 43, 997 (2022)」に対しThe 23rd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞しました。
金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌にて発表した論文「“SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K,” IEEE Electron Device Lett., 43, 997 (2022)」に対しThe 23rd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞しました。