立木馨大君(博士課程修了生、現 当研究室研究員)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文
（“Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (1120), and (1100) MOSFETs via an oxidation-minimizing process,” Appl. Phys. Express 15, 071001 (2022)）
に対して、応用物理学会論文奨励賞が授与されることが決定しました。