一般講演

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
3月23日(土) 15:00 〜 15:15 [23p-52A-8]
「第45回論文奨励賞受賞記念講演」
酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001),(1120)および(1100)MOSFETの移動度向上
〇立木 馨大¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

15.6 IV族系化合物（SiC）
3月23日(土) 10:30 〜 10:45 [23a-52A-6]
SiO₂/SiC 界面に形成した単一光子源の密度制御
〇金子 光顕¹、高島 秀聡^1、2、嶋崎 幸之介¹、竹内 繁樹¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.千歳科技大)