Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会　第11回講演会（11月24-26日）において、伊東遼馬君（修士課程1回生）が「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」の発表で研究奨励賞を受賞しました。