アメリカ合衆国サンフランシスコで開催された70th IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM 2024, 12/7-12/11)において、遅 熙倫(Xilun Chi)君(博士課程3回生)が「Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs」の発表を行いました。
アメリカ合衆国サンフランシスコで開催された70th IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM 2024, 12/7-12/11)において、遅 熙倫(Xilun Chi)君(博士課程3回生)が「Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs」の発表を行いました。