シンポジウム講演 イオン注入技術の進展 〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜 03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3SiCへのイオン注入技術とデバイス応用〇木本 恒暢11京大工 […]
作者別: StudentStaff
前田拓也君(D1)がThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)でIEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)を受賞
サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]
立木馨大君(M2)が第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
大阪で開催された第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、立木馨大君(修士課程2回生)が「高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。
Stefanakis Dionysiosさんが本研究室の博士研究員として着任
2019年1月16日よりStefanakis Dionysiosさんが本研究室の博士研究員として着任しました。
金子光顕先生が本研究室助教に着任
2019年1月1日より金子光顕先生が本研究室の助教に着任しました。
前田拓也君(D1)がInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)でIWN Student Paper Awardを受賞
金沢で開催されたInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018, 11月11-16日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Temperature […]
鐘ヶ江一孝君(M2)がIWN2018の招待講演者に選抜される
金沢で開催されるInternational Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018, 11月11日-11月16日）において、鐘ヶ江一孝君（修士課程2回生）が「H […]
中島誠志君（M1）、鐘ヶ江一孝君（M2）が先進パワー半導体分科会 第5回講演会で研究奨励賞を受賞
京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会 第5回講演会（11月6-7日）において、中島誠志君（修士課程1回生）が「高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製」の発 […]
2018年秋の応用物理学会での発表予定
一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス 09/20(木) 10:00 10:15 20a-222-5 Pt/TaOx/Ta2O5/Pt 抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析 〇宮谷 俊輝1 西 佑介1 木本 恒 […]
中島誠志君(M1)がECSCRM2018の招待講演者に選抜される
イギリスバーミンガムで開催されるEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018, 9月2日-9月6日）において、中島誠志 […]