広島国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第6回講演会（12月3-4日）において、伊藤滉二君（修士課程2回生）が「SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響」の発表で研究奨励賞を […]
作者別: StudentStaff
伊藤滉二君(M2)がICSCRM2019の招待講演者に選抜される
京都で開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019, 9月29日-10月4日）において、伊藤滉二君 […]
鐘ヶ江一孝君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞
鐘ヶ江一孝君（D1)が「超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウム中の深い準位に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。
原征大君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
原征大君（修士課程1回生）が卒業研究「 高濃度ドープn型SiCを用いたショットキー障壁ダイオード の作製と解析」で第4回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate” が “Editor’s pick” に選出
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Str […]
原征大君(M1)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
東京工業大学で開催された2019年春季応用物理学会学術講演会における、「高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価」の発表に対し、原征大君（修士課程1回生、発表当 […]
追いコンを開催しました
追いコンを開催いたしました。卒業生のみなさま、論文執筆お疲れさまでした。 2018年度卒業メンバー /*小林 拓真 さん (博士研究員)秋田 浩伸 さん (社会人博士)浅田 聡志 さん (博士3回生)徳田 雄一郎 さん […]
2019年春の応用物理学会での発表予定
シンポジウム講演 イオン注入技術の進展 〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜 03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3SiCへのイオン注入技術とデバイス応用〇木本 恒暢11京大工 […]
前田拓也君(D1)がThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)でIEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)を受賞
サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]
立木馨大君(M2)が第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
大阪で開催された第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、立木馨大君(修士課程2回生)が「高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。