筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2018(8月24-27日)において、伊藤滉二君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
作者別: StudentStaff
伊藤滉二君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
伊藤滉二君（修士課程1回生）が卒業研究「界面準位密度のエネルギー分布を考慮したSiC MOSFETの電気的特性のモデリング」で第3回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文” High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate “がEDLの”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文” High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by I […]
2018年春の応用物理学会での発表予定
招待講演 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 03/18 (日) 9:00-9:15 18a-C302-1 Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用した GaN p-n接合ダイ […]
追いコンを開催しました
追いコンを開催いたしました。卒業生のみなさま、論文執筆お疲れさまでした。 本年度卒業メンバー /* 田中 一さん (博士研究員) 飯島 彬文さん (修士2回生) 榎薗 太郎さん (修士2回生) 平松 佳奈さん (修士2回 […]
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4H-SiC (11-20)”がAIP Publishingの”Editor’s pick”に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice g […]
前田拓也君(M2)が応用物理学会講演奨励賞を受賞
福岡国際会議場で開催された2017年秋季応用物理学会学術講演会において、前田拓也君（修士課程2回生）が「GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収」の発表で講演奨励賞を受賞しました […]
浅田聡志君(D2)がICSCRM2017 でStudent poster awardを受賞
アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日）におい […]
鐘ヶ江一孝君(M1)がTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017で奨励賞を受賞
筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017(8月25-28日)において、鐘ヶ江一孝君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
飯島彬文君(M2)がICSCRM2017の招待講演者に選抜される
アメリカワシントンDCで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17日-9月22日）に […]