20kV SiCダイオードがCompound Semiconductor誌に 投稿日: 2014年3月14日 投稿者: kimoto 当研究室で作製した超高耐圧(20kV以上) SiCダイオードの成果を紹介する記事が、Compound Semiconductor誌のFeature Article (Technology – SiC Powe […]