省エネの切り札として注目されているSiC半導体で長年、問題になっていたMOS界面欠陥を、環境に優しい手法で大幅に低減し、SiC MOSFETの性能を2倍に向上することに成功しました。詳細はこちら。 https://www […]

低損失パワー半導体として有望なSiCで20年来の課題であった酸化膜/SiC界面欠陥を独自の概念、手法により、従来のベストに比べて1/10に低減することに成功しました。詳しくはこちら。 http://www.kyoto-u […]

日経 xTECH(10月3日)に、本研究室がICSCRM2019で発表したp型SiC MOS界面の特性向上に関する研究成果が掲載されました。

日経産業新聞(9月17日)に「パワー半導体が効率アップ　京大やロームが新技術」として本研究室のSiC MOS界面特性向上に関する研究成果が掲載されました。

日経xTECH Specialに木本教授とローム株式会社伊野和英氏との対談記事が掲載されました。リンクはコチラです 。

木本教授が日本経済新聞(2月3日朝刊)の「アカデミック人材」で、「未踏の材料を実現した2グループ」の一つとして紹介されました。窒化ガリウムを開拓した赤崎先生、天野先生と共に、炭化珪素を開拓した松波名誉教授、木本教授の足跡 […]

木本恒暢教授とSiC研究が、日本における先端研究の例として、中学校の理科の教科書（「新版 理科の世界」（大日本図書, 2015））で紹介されました。

日本経済新聞の「軌跡 省エネ半導体にかける」で当研究室の研究活動が紹介されました。同じく8月1日の日経産業新聞の先端技術欄でも木本教授の活動が掲載されました。

当研究室が高校生向け情報サイトの「夢ナビfacebook」に掲載されました。 「夢ナビweb」にも掲載されました。

当研究室で作製した超高耐圧(20kV以上) SiCダイオードの成果を紹介する記事が、Compound Semiconductor誌のFeature Article (Technology – SiC Powe […]