石川 諒弥

石川 諒弥　(Ryoya Ishikawa)
博士後期課程3回生 (日本学術振興会特別研究員DC1)
Google Scholar ORCiD

研究テーマ

SiCバルク結晶中のキャリア輸送機構に関する研究

経歴

  • 2022年4月 — 現在 |  京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2023年5月 — 2023年9月 |  Visiting Scholar at The Ohio State University in the US
  • 2020年4月 — 2022年3月 |  京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 修士課程
  • 2016年4月 — 2020年3月 |  京都大学 工学部 電気電子工学科
  • 2016年3月 |  愛知県立刈谷高等学校 卒業　

論文

  1. R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Electron mobility along <0001> and <1-100> directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature,” Applied Physics Express 14, 061005 (2021).
  2. T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka, “Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices,” Tech. Digest of 67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, 36-1-1 – 36-1-4 (2021).
  3. R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, ”Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H-SiC,” Physica Status Solidi B 260, 2300275 (2023).
  4. R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, ”Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC,” Journal of Applied Physics 135, 075704 2024).
  5. R. Ishikawa, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Estimation of Electron Drift Mobility along the c-Axis in 4H-SiC by Using Vertical Schottky Barrier Diodes,” Solid State Phenomena 360, 205-210 (2024).

国際会議

  1. 〇T. Kimoto, R. Ishikawa, X. Chi, K. Mikami, K. Tachiki, and M. Kaneko, “Impacts of Anisotropic Material Properties on Performance of SiC Power Devices” (invited), Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2024, Honolulu, USA (Oct. 2024), G03-2294.
  2. 〇R. Ishikawa, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Low-field and high-field anisotropic electron transport in 4H-SiC,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, Raleigh, USA (Sep. 2024), Oral, 21A.
  3. 〇R. Ishikawa, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Estimation of electron drift mobility along the c-axis in 4H-SiC by using vertical Schottky barrier diodes,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep. 2023), Poster, We.C.2.
  4. 〇T. Kimoto, H. Niwa, X. Chi, M. Hara, R. Ishikawa, H. Tanaka, and M. Kaneko, “High-Field Phenomena in SiC Material and Devices,” Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform, Erlangen, Germany (Sep. 2023), Oral (invited) 4-1.
  5. 〇R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Anisotropic Electron and Hole Mobilities in 4H-SiC Bulk Crystals,” 65th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, USA (June 2023), Oral, S01. [Selected as a finalist for the EMC Oral Presentation Award]
  6. 〇R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, ”Anisotropy of hole mobility in 4H-SiC over wide ranges of acceptor concentration and temperature,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022, Davos, Switzerland (Sep., 2022), Oral, Fr-2-A.3.
  7. 〇T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka, “Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices,” 67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, Virtual (Dec., 2021), Oral (invited), 36-1.
  8. 〇R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto, ”Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature,” European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020/2021, Virtual (Oct., 2021), Oral, Tu-4B.
  9. 〇R. Ishikawa, M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto, ”High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC,” International Conference on Solid State Devices and Materials 2020, Virtual (Sep., 2020), Oral, D-4-02.

国内会議

  1. 〇石川 諒弥, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”4H-SiCにおける正孔移動度の異方性の定量と解析,” 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 福岡県 (2022年12月), ポスター発表, IIA-16.
  2. ○石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢, “SiCにおける電子・正孔移動度の異方性の評価と解析” 第335回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会, 大阪府 (2022年7月), 口頭発表, 10. [発表奨励賞 受賞]
  3. 〇石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”4H-SiCにおける電子移動度および正孔移動度の異方性,” 第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 神奈川県/オンライン (2022年3月), 口頭発表, 25a-E301-9. [講演奨励賞受賞記念講演(招待講演)]
  4. 〇石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”4H-SiCにおける電子移動度の異方性の起源,” 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン開催 (2021年12月), ポスター発表, IA-6.
  5. 〇石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC,” IEEE EDS 第21 回関西コロキアム電子デバイスワークショップ, オンライン開催 (2021年9月), 口頭発表 (招待講演).
  6. 〇石川 諒弥, 原 征大, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”4H-SiCにおける電子移動度の異方性,” 第82回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン開催 (2021年9月), 口頭発表, 10p-S202-6, [応用物理学会講演奨励賞受賞]
  7. 〇石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の測定と解析,” 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会, オンライン開催 (2020年12月). ポスター発表, IA-06.
  8. 〇石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢, ”4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の評価,” 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン (2020年9月), 口頭発表, 11a-Z23-3.

受賞歴等

  1. 2023年3月: 工学研究科長賞 (八大学工学連合会博士フォーラム実行委員会としての受賞)
  2. 2023年1月: 第335回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会 において 発表奨励賞 受賞
  3. 2022年12月: 日本学術振興会 若手研究者海外挑戦プログラム (令和5年度) 採用
  4. 2021年9月: 第51回(2021年秋季) 応用物理学会講演奨励賞 受賞
  5. 2020年4月: 日鉄鉱業奨学会 奨学生 として採用 (2022年3月まで)

その他

  1. 京都大学 卓越ワークショップ2022にて研究成果報告 (2023年1月)
  2. 八大学博士フォーラム 幹事学生 (2022年度)
  3. 京都大学 卓越大学院プログラム e-卓越カフェ 幹事 (2022年度)
  4. エレクトロニクスサマーキャンプ 1回生担当代表 (2021年度)
  5. 京都大学 桂図書館 オフィスアシスタント (2020年4月 — 現在)
  6. 研究成果が Advanced in engineering に掲載 (2022年2月)

連絡先

桂キャンパスAクラスターA1棟303号室 (A1-303)
Tel. 075-383-2302 (研究室共用) / Fax. 075-383-2303 (研究室共用)