イギリスバーミンガムで開催されるEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018, 9月2日-9月6日）において、中島誠志君（修士課程1回生）が「400°C operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate」という題目で招待講演者に選抜されました。リンクはコチラ。