一般講演

6.3 酸化物エレクトロニクス
09/20(木) 10:00 10:15 20a-222-5
Pt/TaOx/Ta2O5/Pt 抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析
〇宮谷 俊輝1 西 佑介1 木本 恒暢1
1.京大院工

15.6 IV族系化合物（SiC）
09/20(木) 10:15 10:30 20a-141-6
高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価
〇伊藤 滉二1 小林 拓真1 堀田 昌宏1 須田 淳1 木本 恒暢1
1.京大院工

15.6 IV族系化合物（SiC）
09/20(木) 10:30 10:45 20a-141-7
半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製したノーマリオフ型サイドゲートn-JFETおよびp-JFETの400℃動作
〇中島 誠志1 金子 光顕1 木本 恒暢1
1.京大院工

13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09/20(木) 10:45-11:00 20a-331-7
n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価
〇鐘ヶ江 一孝1 成田 哲生2 冨田 一義2 加地 徹3 堀田 昌宏1 木本 恒暢1 須田 淳1 3 4
1京大院工 2豊田中央研究所 3名大未来材料・システム研究所 4名大院工

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09/20(木) 14:15 14:30 20p-331-3
GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価
〇前田 拓也1 成田 哲生2 上田 博之2 兼近 将一2 上杉 勉2 加地 徹3 木本 恒暢1 堀田 昌宏1 須田 淳1, 3
1. 京大院工, 2. 豊田中央研究所 3. 名大院工

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09/20(木) 14:30 14:45 20p-331-4
Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定
〇前田 拓也1 成田 哲生2 上田 博之2 兼近 将一2 上杉 勉2 加地 徹3 木本 恒暢1 堀田 昌宏1 須田 淳1, 3
1. 京大院工, 2. 豊田中央研究所 3. 名大院工

15.6 IV族系化合物（SiC）
09/21(金) 10:15 10:30 21a-141-6
SiCにおけるキャリア寿命のドナー密度依存性の理論解析および実験値との比較
〇山下 昇真1 奥田 貴史1 木本 恒暢1
1.京大院工

15.6 IV族系化合物（SiC）
09/21(金) 11:15 11:30 21a-141-9
4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
〇前田 拓也1 遅 熙倫1 堀田 昌宏1 須田 淳1, 2 木本 恒暢1
1. 京大院工, 2. 名大院工