前田拓也君(D1)がInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)でIWN Student Paper Awardを受賞

金沢で開催されたInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018, 11月11-16日)において,前田拓也君(博士課程1回生)が「Temperature Dependence of Avalanche Multiplication in GaN PN Junction Diodes Measured by Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect」の発表でIWN Student Awardを受賞しました.