金沢で開催されるInternational Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018, 11月11日-11月16日）において、鐘ヶ江一孝君（修士課程2回生）が「Hole occupancy ratio of H1 trap in homoepitaxial n-type GaN under sub-bandgap light irradiation」という題目で招待講演者に選抜されました。リンクはコチラ。