サンフランシスコで開催されたThe 65th International Electron Devices Meeting (IEDM2019, 12月8-12日)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-Eg Illuminations for p-/n+ Junction」の発表に対し，The 18th IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました．(https://www.ieee-jp.org/section/tokyo/chapter/ED-15/ed15_award.htm)