オンライン開催された4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems 2021 (MEMRISYS 2021, 11/1-4)において、宮谷俊輝君(博士課程2回生)が「Impacts of Oxygen Composition in an Oxygen‐vacancy Reservoir Layer on Forming and Resistive Switching Characteristics in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells」の発表に対しExcellent Poster Presentation Awardsを受賞しました。