シンポジウム講演
進化するパワー半導体
シリコンか らワイドバンド ギャップへ
03/12(木) 13:15 13:30 12p-B4-1
イントロダクトリー
〇木本 恒暢 (招待講演)
03/12(木) 15:45 16:15 12p-B4-6
物性から見たパワーデバイス用半導体材料
〇須田 淳 (招待講演)
窒化物半導体特異 構造の科学
～成 長・プロセスとエレ クトロニクス展開～
03/14(土) 09:45 10:00 14a-B1-4
PAMBE法によるSiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性
〇金子 光顕(D1)1 木本 恒暢1 須田 淳1 1.京大院工
一般講演
ReRAM
6.3 Oral 03/14(土) 14:15 14:30 14p-D10-6
NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後におけるコンダクタンスの温度依存性
〇篠倉 弘樹(M1)1 西 佑介1 木本 恒暢1 1.京大院工
ナノワイヤ
13.5 Oral 03/11(水) 09:30 09:45 11a-A23-3
表面ラフネス散乱がGeナノワイヤの正孔移動度に与える影響に関する理論的検討
〇田中 一(M2)1 須田 淳1 木本 恒暢1 1.京大院工
MEMS
15.6 Oral 03/14(土) 09:15 09:30 14a-B4-2
4H-SiCの電気化学エッチングにおけるサイドエッチングの異方性
〇山下 尚人(B4)1 佐藤 孝亮2 木本 恒暢2 須田 淳2 1.京大工、2.京大院工
GaN (SIP-GaNプロジェクト)
15.4 Oral 03/12(木) 08:45 09:00 12a-B1-2
ホモエピタキシャル成長n型GaNのホール効果測定
〇澤田 直暉(B4)1 成田 哲生2 加地 徹2 上杉 勉2 須田 淳3 1.京大工、2.豊田中研、3.京大院工
SiC
15.6 Oral 03/12(木) 11:00 11:15 12a-B4-8
様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール効果の温度依存性
〇浅田 聡志(M1)1 奥田 貴史1 木本 恒暢1 須田 淳1 1.京大院工
15.6 Oral 03/14(土) 12:00 12:15 14a-B4-12
超高耐圧4H-SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定
〇丹羽 弘樹(D2)1 須田 淳1 木本 恒暢1 1.京大院工
他機関からの発表（共同研究）
15.6 Oral 03/12(木) 11:15 11:30 12a-B4-9
4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価
〇棚井 創基1 村上 功樹1 奥田 貴史2 須田 淳2 木本 恒暢2 小杉 亮治3 大島 武4 梅田 享英1 1.筑波大、2.京大、3.産総研、4.原研
15.6 Oral 03/13(金) 17:45 18:00 13p-B4-7
NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性
〇勝 義仁1 細井 卓治1 南園 悠一郎2 木本 恒暢2 志村 考功1 渡部 平司1 1.阪大院工、2.京大院工