浅田聡志君(D2)がICSCRM2017 でStudent poster awardを受賞

アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日)において、浅田聡志君(博士課程2回生)が「Effects of parasitic region in SiC bipolar junction transistors on forced current gain」の発表でStudent poster awardを受賞しました。