省エネの切り札として注目されているSiC半導体で長年、問題になっていたMOS界面欠陥を、環境に優しい手法で大幅に低減し、SiC MOSFETの性能を2倍に向上することに成功しました。詳細はこちら。

https://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2020/200908_2.html

EE Times（リンク）、電波新聞（リンク）などに掲載されました。