一般講演

6.3 酸化物エレクトロニクス
9月11日(金) 13:15 〜 13:30 [11p-Z07-2]
Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関
〇宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

9月11日(金) 13:30 〜 13:45 [11p-Z07-3]
Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃/Pt素子における酸素熱処理が抵抗変化特性に与える効果
〇井室 充登1、金上 尚毅1、木本 恒暢1、西 佑介1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
9月10日(木) 17:15 〜 17:30 [10p-Z09-18]
長方形断面を有するSnナノワイヤにおける電子状態の断面サイズおよび方位依存性
〇佐藤 瑞起1、田中 一1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

15.6 IV族系化合物（SiC）
9月10日(木) 16:30 〜 16:45 [10p-Z23-12]
熱平衡状態における4H-SiCエピタキシャル層中シングルショックレー型積層欠陥の縮小運動
〇(M1)Do Euihyeon1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

9月10日(木) 17:00 〜 17:15 [10p-Z23-13]
酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO₂界面 の形成
〇(D)立木 馨大1、金子 光顕1、小林 拓真1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

9月11日(金) 09:00 〜 09:15 [11a-Z23-1]
高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ 準位の変化
〇具 燦淳1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

9月11日(金) 09:15 〜 09:30 [11a-Z23-2]
衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析
〇田中 一1,2、木本 恒暢1、森 伸也2 (1.京大、2.阪大院工)

9月11日(金) 09:30 〜 09:45 [11a-Z23-3]
4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の評価
〇石川 諒弥1、原 征大1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

9月11日(金) 09:45 〜 10:00 [11a-Z23-4]
SEM・SCM測定によるSiC基板における注入イオンの横方向広がりの定量測定
〇金 祺民1、中島 誠志1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)