立木馨大君（博士研究員）がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities in 4H-SiC MOSFETs by High-Temperature N2 Annealing”, IEEE Trans. on Electron Devices 68, 638 (2021)」に対しThe 22nd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞しました。