シンポジウム講演
ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線
9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]
SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展
〇木本 恒暢1、立木 馨大1、伊藤 滉二1、三上 杏太1、金子 光顕1 (1.京大工)
一般講演
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
9月21日(水) 09:15～09:30 [21a-M206-2]
熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位
〇藤井 開1、鐘ヶ江 一孝1、金子 光顕1、木本恒暢1（1.京大院工）
9月21日(水) 09:30～09:45 [21a-M206-3]
酸化抑制プロセスによって形成した高品質4H-SiC(1120)/SiO2界面の低温特性評価
〇三上 杏太1、立木 馨大1、金子 光顕1、木本恒暢1（1.京大院工）
9月21日(水) 11:00～11:15 [21a-M206-8]
[講演奨励賞受賞記念講演] SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性
〇伊藤 滉二1、田中 一1,2、堀田 昌宏1,3、須田淳1,3、木本 恒暢1（1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工）
9月22日(木) 09:00～09:15 [22a-B204-1]
TCADデバイスシミュレーションによるSiCサイドゲートJFETにおける短チャネル効果の解析
〇前田 憲幸1、金子 光顕1、木本 恒暢1（1.京大院工）
9月22日(木) 09:15～09:30 [22a-B204-2]
半絶縁性SiC基板へのイオン注入によるボトムゲートJFETの作製
〇柴田 峻弥1、松岡 大雅1、金子 光顕1、木本恒暢1（1.京大院工）
9月22日(木) 09:45～10:00 [22a-B204-4]
高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー障壁におけるトラップアシストトンネル電流の解析
〇原 征大1、金子 光顕1、木本 恒暢1（1.京大院工）
9月22日(木) 10:15～10:30 [22a-B204-6]
金属/高濃度ドープp型SiCショットキー界面におけるトンネル電流に対するスプリットオフバンドの影響
〇北脇 武晃1、原 征大1、田中 一1,2、金子 光顕1、木本 恒暢1（1.京大院工、2.阪大院工）
9月22日(木) 10:45～11:00 [22a-B204-7]
SiCへのMeV-Alイオンチャネリング注入における臨界角の決定
〇井上 瑛1、金子 光顕1、米澤 喜幸2、木本 恒暢1（1.京大院工、2.産総研）
15.6 IV族系化合物（SiC）
9月20日(火) 15:00～15:15 [20p-C306-7]
Hall効果測定によるSイオン注入n型SiC層中の電子移動度評価
〇松岡 大雅1、金子 光顕1、木本 恒暢1（1.京大院工）