金祺民君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞

金祺民君(修士課程1回生)が卒業研究「イオン注入による半絶縁性SiC基板上サイドゲートJFETの作製と横方向チャネリングの解析」で令和2年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました