シンポジウム講演

イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3
SiCへのイオン注入技術とデバイス応用
〇木本 恒暢1
1京大工

一般講演

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
03/09(土) 12:00-12:15 9a-M121-10
Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明
〇鐘ヶ江 一孝1  藤倉 序章2  乙木 洋平2 今野 泰一 郎2 吉田 丈洋2 堀田 昌宏1 3 4 木本 恒暢1 須田 淳1 3 4
1.京大院工 2.SCIOCS 3.名大未来材料・システム研究所 4.名大院工

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
3/9(土), 14:00-14:15, 9p-M121-1
“両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける
均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価”
〇前田拓也1, 成田哲生2, 上田博之2，兼近将一2，上杉勉2，加地徹3，木本恒暢1，堀田昌宏1, 3，須田淳1, 3
1. 京大院工，2. 豊田中央研究所，3. 名大院工

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
3/9(土), 14:15-14:30, 9p-M121-2
“Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定による
GaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定”
〇前田拓也1, 成田哲生2, 上田博之2，兼近将一2，上杉勉2，加地徹3，木本恒暢1，堀田昌宏1, 3，須田淳1, 3
1. 京大院工，2. 豊田中央研究所，3. 名大院工

6.3 酸化物エレクトロニクス
03/10 (日) 16:15 16:30 10p-W641-10
Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における準高抵抗状態の発現
〇宮谷 俊輝1 西 佑介1 木本 恒暢1
1.京大院工

6.3 酸化物エレクトロニクス
03/10 (日) 16:30 16:45 10p-W641-11
Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子の直流および交流コンダクタンスの温度依存性の解析
〇宮谷 俊輝1 西 佑介1 木本 恒暢1
1.京大院工

6.3 酸化物エレクトロニクス
03/10(日) 17:00 17:15 10p-W641-13
Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx/Pt素子における2種類の抵抗変化現象
〇金上 尚毅1 西 佑介1 木本 恒暢1
1.京大院工

15.6 IV族系化合物(SiC)
03/11(月) 09:00-09:15 11a-70A-1
高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価
○原 征大1, 浅田 聡志2, 前田 拓也2, 木本 恒暢2
1.京大工 2.京大院工

15.6 IV族系化合物（SiC）
03/11(月) 10:45 11:00 11a-70A-7
SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性
〇伊藤 滉二1 小林 拓真1 堀田 昌宏1,2 須田 淳1,2 木本 恒暢1
1.京大院工 2.名大院工

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
3/11(月), 13:30-15:30, 11p-PB3-18
“ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション”
〇前田拓也1, 成田哲生2, 上田博之2，兼近将一2，上杉勉2，加地徹3，木本恒暢1，堀田昌宏1, 3，須田淳1, 3
1. 京大院工，2. 豊田中央研究所，3. 名大院工