シンポジウム講演
パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜
9/19(木) 15:45-16:15 19p-B01-5
SiCパワーデバイスを支える薄膜・表面技術
〇木本 恒暢1
(1.京大工)
一般講演
13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
9/18(水) 13:45-14:00 18p-E303-1
2次元系における古典Hall移動度の非平衡グリーン関数法による理論解析
〇田中 一1,2、森 伸也1
(1.阪大院工、2.京大)
13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
9/18(水) 17:00-17:15 18p-N302-15
2色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn型GaN成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法
〇鐘ヶ江 一孝1,3、成田 哲生2、冨田 一義2、加地 徹3、堀田 昌宏1,3,4、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4
(1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)
6.3 酸化物エレクトロニクス
9/19(木) 14:30-14:45 19p-E311-6
Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化
〇宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
6.3 酸化物エレクトロニクス
9/19(木) 14:45-15:00 19p-E311-7
PtまたはTiN下部電極上の遷移金属酸化物の結晶性および抵抗変化特性
〇山田 和尚1、西 佑介1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
6.3 酸化物エレクトロニクス
9/19(木) 15:00-15:15 19p-E311-8
Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx/Pt素子における界面型抵抗変化現象の解析
〇金上 尚毅1、西 佑介1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
9/20(金) 9:00-9:15 (招) 20a-E301-1 [論文奨励賞受賞記念講演]
Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode
〇前田 拓也1、岡田 政也2、上野 昌紀2、山本 喜之2、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3、須田 淳1,3
(1.京大院工、2.住友電工, 3. 名大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 09:30-09:45 20a-E311-3
リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性
〇伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1
(1.京大院工、2.名大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 10:00-10:15 20a-E311-5
光照射C-V測定による窒化SiO2/SiC界面における深い準位の評価
〇立木 馨大1、鐘ヶ江 一孝1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 15:00-15:15 20p-E311-6
高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現
〇原 征大1、浅田 聡志1、前田 拓也1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 15:15-15:30 20p-E311-7
高純度半絶縁性SiC基板上にイオン注入で作製したpinダイオードの評価
〇金子 光顕1,2、Tsibizov Alexander2、木本 恒暢1、Grossner Ulrike2
(1.京大院工、2.チューリッヒ工科大学)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 15:30-15:45 20p-E311-8
高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネ ル効果に関する実験的研究
〇中島 誠志1、金 祺民1、金子 光顕1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 15:45-16:00 20p-E311-9
高温アニールおよび熱酸化処理を施した高純度半絶縁性4H-SiC基板の電気的性質の評価
〇具 燦淳1、金子 光顕1、木本 恒暢1
(1.京大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 16:15-16:30 20p-E311-11
<11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
〇前田 拓也1、遅 熙倫1、 田中 一1、堀田 昌宏1, 2、須田 淳1, 2、木本 恒暢1
(1.京大院工, 2.名大院工)
15.6 IV族系化合物（SiC）
9/20(金) 17:00-17:15 20p-E311-13
p型SiCにおけるキャリア寿命の理論解析
〇山下 昇真1、木本 恒暢1
(1.京大院工)