一般講演

6.3 酸化物エレクトロニクス
3月15日(水) 10:30 〜 10:45 [15a-A409-3]
Pt/TaOx/Ta₂O₅/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性
〇宮谷 俊輝¹、上沼 睦典²、浦岡 行治²、木本 恒暢¹、西 佑介^1,3 (1.京大院工、2.奈良先端大、3.舞鶴高専)

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
3月16日(木) 11:15 〜 11:30 [16a-A301-7]
Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature
〇Xilun Chi¹、Keita Tachiki¹、Kyota Mikami¹、Mitsuaki Kaneko¹、Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

3月16日(木) 11:30 〜 11:45 [16a-A301-8]
無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価
〇三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

3月16日(木) 16:00 〜 16:15 [16p-A301-7]
[講演奨励賞受賞記念講演] 熱酸化SiO₂/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位
〇藤井 開¹、鐘ヶ江 一孝¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

3月16日(木) 16:30 〜 16:45 [16p-A301-9]
高濃度Pイオン注入による金属/SiC非合金化界面におけるコンタクト抵抗低減
〇原 征大¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

15.6 IV族系化合物（SiC）
3月15日(水) 15:00 〜 15:15 [15p-A301-7]
熱酸化処理を施した高純度半絶縁性SiC基板上n型およびp型イオン注入層の電気的性質
〇金 祺民¹、具 燦淳¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)