窒化物半導体国際ワークショップで金子君(M1)らが最優秀論文賞を受賞！！

投稿日: 2012年10月19日投稿者: kimoto

窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2012)において金子光顕君(修士課程1回生)が発表した論文(共著者:奥村,菊地,木本,須田)が、最優秀論文賞(IWN2012 Best Paper Award)を受賞しました。

グリーン・エレクトロニクスNo.9「ワイドギャップ半導体の研究」が出版されました

投稿日: 2012年8月1日投稿者: kimoto

グリーン・エレクトロニクス No. 9(CQ出版社)で須田准教授がワイドギャップ半導体の研究として特集記事(p.4～p.51)を執筆しています。

投稿日: 2012年7月28日投稿者: kimoto

須田准教授が京都大学工学部公開講座および高校生のための工学部オープンセミナーで「情報、通信、そしてエネルギーを支える半導体」と題して講演を行いました。

投稿日: 2012年6月7日投稿者: kimoto

IEEE半導体パワーデバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2012)で丹羽弘樹君(修士課程2回生)がSiC pinダイオードの高耐圧化の研究発表でCharitat Award(若手最優秀発表賞)を受賞しま […]

投稿日: 2012年5月22日2017年3月9日投稿者: kimoto

シンポジウム講演進化するパワー半導体シリコンからワイドバンドギャップへ 03/12(木) 13:15 13:30 12p-B4-1 イントロダクトリー〇木本恒暢 (招待講演) 03/12(木) 15:45 1 […]

投稿日: 2012年5月22日投稿者: kimoto

2012/5/22 奥田貴史君(M2)が、2012年春季応用物理学会の発表「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」に対して第32回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2012年5月11日投稿者: kimoto

2012/5/11 丹羽弘樹君(M2)が、IEEE IMFEDK2012で発表したSiC PiNダイオードの論文(“Fundamental Study on Junction Termination Stru […]

投稿日: 2012年4月28日投稿者: kimoto

2012/4/28 金子光顕君(M1)が、第4回窒化物半導体結晶成長講演会における「4H-SiC(11-20)基板上への4H-AlN/4H-GaN超格子の成長実現」の発表に対して発表奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2012年4月3日投稿者: kimoto

2012/4/3 木本教授が第10回APEX/JJAP編集貢献賞を受賞しました。

投稿日: 2012年1月25日投稿者: kimoto

2012/1/25 奥田貴史君(M1)が、2011年12月の電子情報通信学会電子デバイス研究会における「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」の発表に対して学生発表 […]