2011/12/25 三宅裕樹君(D3)がIEEE Kansai Section Student Paper Awardを受賞しました。(受賞論文: IEEE Electron Device Letters, vol.3 […]

2011/10/21 森岡直也君(D1)が、第11回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップでの発表「Tight-Binding Study of Size and Geometric Effects on Ho […]

2011/9/21 木本教授が第29回大阪科学賞を受賞しました。

2011/8/1 日吉透君(M2)が、第33回応用物理学会論文奨励賞(受賞論文: Applied Physics Express, vol.2, 091101 (2009))を受賞しました。

2011/7/14 当研究室、東京エレクトロン、ロームの共同研究の成果であるSiCエピタキシャル成長装置「Probus-SiC（東京エレクトロン社製）」が、半導体・オブ・ザ・イヤー2011の半導体製造装置部門で、グランプ […]

2011/7/1 奥村宏典君(D3)が、第30回電子材料シンポジウムでEMS賞を受賞しました。

2011/5/26 IEEE ISPSD2011で三宅裕樹君(D3)がCharitat Award(若手最優秀発表賞)を受賞しました。

2010/11/30 森岡直也君(M2)が、2010年秋季応用物理学会の発表「長方形断面Si量子細線における正孔有効質量の幅依存性の物理的解釈」に対して第29回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

2010/10/22 南園悠一郎君(D1)が、第10回IEEE関西電子デバイスワークショップでの発表「Enhanced Drain Current of 4H-SiC MOSFETs by Adopting a Thre […]

2010/7/16 三宅裕樹君(D2)が、第29回電子材料シンポジウム(EMS)での発表「High Temperature Characterization and Electroluminescence of Quas […]