2010/5/15 上田俊策君(M2)が、「高Al組成AlGaNのMBE成長におけるGa取り込みの極性面と無極性面の大きな相違」の発表について、第2回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞を受賞しました。

2010/5/15 奥村宏典君(D2)が、「6H-SiC(0001)基板のステップ端を起因とする2H-AlN成長層の貫通刃状転位列の発生機構とGa先行照射によるその抑制」の発表について、第2回窒化物半導体結晶成長講演会発 […]

2010/1/29 奥村宏典君(D1)が、「Ga先行照射による6H-SiC (0001)基板上2H-AlN の成長モード制御と貫通転位低減」に対し、第39回結晶成長国内会議講演奨励賞を受賞しました。

2009/12/18 川原洸太朗君(M2)が応用物理学会「SiC及びワイドギャップ半導体研究会」第18回講演会での発表「デバイスプロセスによって4H-SiC中に生じる深い準位の検出および低減」に対して研究奨励賞を受賞しま […]

2009/5/25 三宅裕樹君(M2,発表時)が、2009年春季応用物理学会の発表「AlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接地増幅動作の実現」に対して第26回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

2009/5/25 堀田昌宏君(D3,発表時)が、2009年春季応用物理学会の発表「4H-SiC m面上への4HポリタイプAlN/AlGaN MQW構造の作製と発光特性評価」に対して第26回応用物理学会講演奨励賞を受賞し […]

2009/5/15 三宅裕樹君(D1)が、IEEE IMFEDK2009での発表”Demonstration of Common-Emitter Mode Operation in AlGaN/SiC Het […]

2009/5/15 吉岡裕典君(D3)が、IEEE IMFEDK2009での発表”One-Dimensional Quantum Confinement Effects in Si-Nanowire MOSF […]

日吉透君(M2)が応用物理学会「シリコンカーバイド(SiC)及びワイドギャップ半導体研究会」第17回講演会での発表「熱酸化によるｎ型4H-SiC中の深い準位の低減」に対して研究奨励賞を受賞しました。

堀田昌宏君(D3)が、ECSCRM2008での発表 “First Demonstration of SiC MISFETs with 4H-AlN Gate Dielectirc Heteroepitaxia […]