旦野克典君(D3)が応用物理学会「シリコンカーバイド(SiC)及びワイドギャップ半導体研究会」第15回講演会において研究奨励賞を受賞しました。(平成18年11月受賞)

木本恒暢助教授、河野広明君(修士卒)、登尾正人君(D1)、須田淳講師がSSDM 2005で発表した”High-Voltage 4H-SiC RESURF MOSFETs Processed by Oxide […]

木本恒暢助教授がIEEE Senior Memberに昇格しました。

木本恒暢助教授がIEEE Electron Device Society, Kansai Chapterより電子デバイス優秀論文賞(MSFK Award)を受賞しました。

根来佑樹君(D3)が応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第13回講演会にて講演奨励賞を受賞しました。

木本恒暢助教授が 電子情報通信学会よりSiCデバイスの研究に関して業績賞を受賞しました。

小野島紀夫君(D3)が2003年秋の学術講演会の発表について応用物理学会より講演奨励賞を受賞しました。

須田淳講師が2003年夏の第33回結晶成長国内会議の発表について日本結晶成長学会より講演奨励賞を受賞しました。

木本恒暢助教授が電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ功労者表彰を受けました。

田中一君(D1)が第15回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップでの発表「Phonon-limited Electron Mobility in Rectangular Cross-sectional Ge N […]