日吉透君(M2)が応用物理学会「シリコンカーバイド(SiC)及びワイドギャップ半導体研究会」第17回講演会での発表「熱酸化によるｎ型4H-SiC中の深い準位の低減」に対して研究奨励賞を受賞しました。

堀田昌宏君(D3)が、ECSCRM2008での発表 “First Demonstration of SiC MISFETs with 4H-AlN Gate Dielectirc Heteroepitaxia […]

日吉透君(M2)が、IEEE IMFEDK2008で発表したHigh-Voltage 4H-SiC PiN Diodes with Improved Bevel Mesa Structure and Implanted […]

鈴木亮太君(学会発表時 M2)が、Materials Research Societyから2008 Spring Meetingでの発表 “Temperature Dependence of Electric […]

登尾正人君(D2)がIEEE Kansai Section Student Paper Awardを受賞しました。

旦野克典君(D3)が第22回(2007年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

堀田昌宏君(D1)が第36回結晶成長国内会議講演奨励賞を受賞しました。

旦野克典君(D3)が応用物理学会「シリコンカーバイド(SiC)及びワイドギャップ半導体研究会」第15回講演会において研究奨励賞を受賞しました。(平成18年11月受賞)

木本恒暢助教授、河野広明君(修士卒)、登尾正人君(D1)、須田淳講師がSSDM 2005で発表した”High-Voltage 4H-SiC RESURF MOSFETs Processed by Oxide […]

木本恒暢助教授がIEEE Senior Memberに昇格しました。