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受賞

立木馨大君(D3)が工学研究科吉田研究奨励賞を受賞

投稿日: 2021年7月20日 投稿者: StudentStaff

立木馨大君(D3)が「酸化過程排除によるSiC/酸化膜界面の高品質化」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。

原征大君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞

投稿日: 2021年7月9日 投稿者: StudentStaff

原征大君(D1)が「オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

木本教授が APEX/JJAP編集貢献賞 を受賞

投稿日: 2021年3月19日 投稿者: StudentStaff

木本恒暢教授が学術誌APEX/JJAP編集運営に対する長年の貢献により、第19回APEX/JJAP編集貢献賞(応用物理学会)を受賞しました(3月16日)。木本教授の同賞受賞は第10回に続き2回目です。https://ww […]

立木馨大君(D2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定

投稿日: 2020年11月23日 投稿者: StudentStaff

2020秋季応用物理学会学術講演会における、「酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成」の発表に対し、立木馨大君(博士課程2回生)の講演奨励賞の受賞が内定しました。

木本教授が ISPSD 2020 Ohmi Best Paper Award を受賞

投稿日: 2020年11月7日 投稿者: StudentStaff

2020年9月にバーチャル開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD 2020)において、木本教授とトヨタ自動車の共同研究論文「Enhanced Performance of 50 nm […]

金祺民君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞

投稿日: 2020年10月21日2020年11月7日 投稿者: StudentStaff

金祺民君(修士課程1回生)が卒業研究「イオン注入による半絶縁性SiC基板上サイドゲートJFETの作製と横方向チャネリングの解析」で令和2年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました

伊藤滉二君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞

投稿日: 2020年10月21日2020年11月7日 投稿者: StudentStaff

伊藤滉二君(D1)が「SiC/SiO2界面におけるチャネル内キャリア散乱機構の解明」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

木本教授の山崎貞一賞受賞が決定

投稿日: 2020年9月30日2020年9月30日 投稿者: StudentStaff

木本恒暢教授が「炭化珪素パワー半導体の基盤技術確立と実用化への貢献」という研究業績で、山崎貞一賞(材料科学技術振興財団)を受賞することが決定しました(9月29日)。https://www.mst.or.jp/Portal […]

木本教授が文部科学大臣表彰科学技術賞を受賞

投稿日: 2020年4月10日 投稿者: TanakaHajime

木本恒暢教授が「炭化珪素半導体の基礎学理と電力用素子実用化に関する研究」という研究業績に対して、令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞(研究部門)を受賞しました(4月7日)。

金子光顕先生が船井研究奨励賞を受賞

投稿日: 2020年4月8日2020年4月8日 投稿者: TanakaHajime

金子光顕助教が「界面不整転位導入による歪み制御窒化アルミニウム結晶の成長と物性解明」の業績により、船井情報科学振興財団から2019年度船井研究奨励賞を受賞しました。

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  • 木本教授が衞籐細矢記念賞を受賞
  • 本研究室のSiC研究成果がJSTホームページ等で紹介
  • 伊藤滉二君(D3)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
  • Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes” が “Editor’s Pick” に選出
  • 日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載

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