三上杏太君(D1)が「SiC MOSFET反転層内キャリア輸送機構の解明と高温動作集積回路の実証」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

原征大君(D3)が「金属/高濃度ドープSiC界面キャリア輸送の理解に基づく低抵抗オーミック接合の形成」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。

利光汐音君(修士1回生)が卒業研究「三次元ゲート構造を有するSiC MOSFETに関する基礎的研究」で令和５年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

金子光顕助教が「炭化ケイ素を用いた低消費電力厳環境動作ICの研究」の研究テーマで第36回安藤博記念学術奨励賞を受賞しました。（2023年6月24日）

木本恒暢教授が “For contributions to silicon carbide material and power devices.” の功績により 2024 IEEE Andrew S. Grove Aw […]

2022年5月にバンクーバーで開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(IEEE ISPSD 2022)において、木本教授とケンブリッジ大、ミライズテクノロジーズ社の共同研究論文「Experime […]

上智大学/オンラインで開催された2023年春季応用物理学会学術講演会 (3/15–3/18) における、「無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価」の発表に対し、三上杏太君（博士課程1回生、発表 […]

木本教授の業績（半導体に関する発表論文）が Best Scientist Ranking in the Field of Electronics and Electrical Engineering 2023 の上位にラ […]

大阪で開催された第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、石川諒弥君（博士課程1回生）が「SiCにおける電子・正孔移動度の異方性の評価と解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第9回講演会（12月19-21日）において、柴田峻弥君（修士課程1回生）が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で […]