木本恒暢教授が “For contributions to silicon carbide material and power devices.” の功績により 2024 IEEE Andrew S. Grove Aw […]

2022年5月にバンクーバーで開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(IEEE ISPSD 2022)において、木本教授とケンブリッジ大、ミライズテクノロジーズ社の共同研究論文「Experime […]

上智大学/オンラインで開催された2023年春季応用物理学会学術講演会 (3/15–3/18) における、「無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価」の発表に対し、三上杏太君（博士課程1回生、発表 […]

木本教授の業績（半導体に関する発表論文）が Best Scientist Ranking in the Field of Electronics and Electrical Engineering 2023 の上位にラ […]

大阪で開催された第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、石川諒弥君（博士課程1回生）が「SiCにおける電子・正孔移動度の異方性の評価と解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第9回講演会（12月19-21日）において、柴田峻弥君（修士課程1回生）が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で […]

東北大学/オンラインで開催された2022年秋季応用物理学会学術講演会 (9/20–9/23) における、「熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位」の発表に対し、藤井開君（修士課程2回生)の講演奨励賞 […]

立木馨大君（博士研究員）がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities i […]

木本恒暢教授が「低損失SiCパワー半導体の先駆的研究と基盤技術確立」という研究業績で、衞籐細矢記念賞を受賞しました（7月8日）。http://futaba-zaidan.org/

青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]