上智大学/オンラインで開催された2023年春季応用物理学会学術講演会 (3/15–3/18) における、「無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価」の発表に対し、三上杏太君(博士課程1回生、発表 […]
受賞
木本教授が Electronics and Electrical Engineering in Japan Leader Award 2023 を受賞
木本教授の業績(半導体に関する発表論文)が Best Scientist Ranking in the Field of Electronics and Electrical Engineering 2023 の上位にラ […]
石川諒弥君(D1)が第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
大阪で開催された第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、石川諒弥君(博士課程1回生)が「SiCにおける電子・正孔移動度の異方性の評価と解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。
柴田峻弥君(M1)が先進パワー半導体分科会第9回講演会で研究奨励賞を受賞
福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第9回講演会(12月19-21日)において、柴田峻弥君(修士課程1回生)が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で […]
藤井開君(M2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が決定
東北大学/オンラインで開催された2022年秋季応用物理学会学術講演会 (9/20–9/23) における、「熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位」の発表に対し、藤井開君(修士課程2回生)の講演奨励賞 […]
立木馨大君(PD)がThe 22nd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞
立木馨大君(博士研究員)がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities i […]
木本教授が衞籐細矢記念賞を受賞
木本恒暢教授が「低損失SiCパワー半導体の先駆的研究と基盤技術確立」という研究業績で、衞籐細矢記念賞を受賞しました(7月8日)。http://futaba-zaidan.org/
伊藤滉二君(D3)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]
木本教授の化合物半導体エレクトロニクス業績賞受賞が決定
木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)パワー半導体の先駆的研究と基盤技術の構築」という研究業績で、化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞)(応用物理学会)を受賞することが決定しました(2月1日)。https://www […]
原征大君(D1)が第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
オンラインで開催された第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、原征大君(博士課程1回生)が「高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。