木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)パワー半導体の先駆的研究と基盤技術の構築」という研究業績で、化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）（応用物理学会）を受賞することが決定しました（2月1日）。https://www […]

オンラインで開催された第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、原征大君(博士課程1回生)が「高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

オンラインで開催された先進パワー半導体分科会　第8回講演会（12月9-10日）において、松岡大雅君（修士課程1回生）が「Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価」の発表で研究奨励賞を受賞しまし […]

オンラインで開催された2021年秋季応用物理学会学術講演会 (9/10-9/13) において、石川諒弥君（修士課程2回生）の「4H-SiCにおける電子移動度の異方性」の発表に対し講演奨励賞の受賞が内定しました。

オンライン開催された4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems 2021 (MEMRISYS 2021, 11/ […]

トゥール(フランス)/オンラインでハイブリッド開催された13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021 (ECSCR […]

木本教授が渡部先生（大阪大）と共同執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices, […]

小林拓真君(博士課程修了生、現 大阪大学助教)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文（“Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via […]

立木馨大君(D3)が「酸化過程排除によるSiC/酸化膜界面の高品質化」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。

原征大君(D1)が「オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。