中島誠志君(M1)がECSCRM2018の招待講演者に選抜される

イギリスバーミンガムで開催されるEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018, 9月2日-9月6日)において、中島誠志君(修士課程1回生)が「400°C operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate」という題目で招待講演者に選抜されました。リンクはコチラ