本研究室のSiC研究成果がJSTホームページ等で紹介

本研究室のSiC MOSFET特性向上に関する研究成果が、「SiCパワー半導体の大幅な性能改善」というタイトルで、JSTプログラム(OPERA)の顕著な成果として紹介されました。詳細はこちら