京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会　第5回講演会（11月6-7日）において、中島誠志君（修士課程1回生）が「高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製」の発表で、鐘ヶ江一孝君（修士課程2回生）が「n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価」の発表で研究奨励賞を受賞しました。