広島国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第6回講演会(12月3-4日)において、伊藤滉二君(修士課程2回生)が「SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響」の発表で研究奨励賞を […]
年別: 2019
鐘ヶ江一孝君(D1)が第38回電子材料シンポジウムでEMS賞を受賞
奈良県橿原市で開催された第38回電子材料シンポジウム(2019年10月9-11日)において、鐘ヶ江一孝君(博士1回生)がEMS賞を受賞しました。
日経 xTECHに本研究室の研究成果が掲載
日経 xTECH(10月3日)に、本研究室がICSCRM2019で発表したp型SiC MOS界面の特性向上に関する研究成果が掲載されました。
Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination” が “Editor’s Pick” に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN […]
日経産業新聞に本研究室の研究成果が掲載
日経産業新聞(9月17日)に「パワー半導体が効率アップ 京大やロームが新技術」として本研究室のSiC MOS界面特性向上に関する研究成果が掲載されました。
2019年秋の応用物理学会での発表予定
シンポジウム講演 パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜 9/19(木) 15:45-16:15 19p-B01-5 SiCパワーデバイスを支える薄膜・表面技術 〇木本 恒暢1 (1.京大工) […]
原征大君(M1)が第8回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクールで奨励賞を受賞
筑波で開催された第8回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-28日)において、原征大君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
前田拓也君(D2)が応用物理学会論文奨励賞を受賞
前田拓也君(博士課程2回生)が、Appl. Phys. Express誌にて発表した論文“Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schott […]
伊藤滉二君(M2)がICSCRM2019の招待講演者に選抜される
京都で開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019, 9月29日-10月4日)において、伊藤滉二君 […]
鐘ヶ江一孝君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞
鐘ヶ江一孝君(D1)が「超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウム中の深い準位に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。