Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in […]
年別: 2019
原征大君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
原征大君(修士課程1回生)が卒業研究「 高濃度ドープn型SiCを用いたショットキー障壁ダイオード の作製と解析」で第4回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate” が “Editor’s pick” に選出
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Str […]
前田拓也君(D2)が31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices&ICs (ISPSD2019)でISPSD2019 Charitat Awardを受賞
2019年5月,上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において,前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization […]
原征大君(M1)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
東京工業大学で開催された2019年春季応用物理学会学術講演会における、「高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価」の発表に対し、原征大君(修士課程1回生、発表当 […]
田中一さんが特定助教に着任
2019年4月1日より田中一さんが大学院横断教育プログラム推進センターの特定助教に着任しました。
追いコンを開催しました
追いコンを開催いたしました。卒業生のみなさま、論文執筆お疲れさまでした。 2018年度卒業メンバー /*小林 拓真 さん (博士研究員)秋田 浩伸 さん (社会人博士)浅田 聡志 さん (博士3回生)徳田 雄一郎 さん […]
日経xTECH Specialに木本教授の対談記事が掲載
日経xTECH Specialに木本教授とローム株式会社伊野和英氏との対談記事が掲載されました。リンクはコチラです 。
2019年春の応用物理学会での発表予定
シンポジウム講演 イオン注入技術の進展 〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜 03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3SiCへのイオン注入技術とデバイス応用〇木本 恒暢11京大工 […]
前田拓也君(D1)がThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)でIEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)を受賞
サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において,前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]