Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy” が “Editor’s Pick” に選出

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in […]

原征大君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞

投稿日: 2019年6月26日投稿者: StudentStaff

原征大君（修士課程1回生）が卒業研究「高濃度ドープn型SiCを用いたショットキー障壁ダイオードの作製と解析」で第4回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Str […]

投稿日: 2019年5月27日投稿者: TanakaHajime

2019年5月，上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization […]

東京工業大学で開催された2019年春季応用物理学会学術講演会における、「高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価」の発表に対し、原征大君（修士課程1回生、発表当 […]

投稿日: 2019年4月1日投稿者: KanekoMitsuaki

2019年4月1日より田中一さんが大学院横断教育プログラム推進センターの特定助教に着任しました。

追いコンを開催いたしました。卒業生のみなさま、論文執筆お疲れさまでした。 2018年度卒業メンバー /*小林拓真さん (博士研究員)秋田浩伸さん (社会人博士)浅田聡志さん (博士3回生)徳田雄一郎さん […]

日経xTECH Specialに木本教授とローム株式会社伊野和英氏との対談記事が掲載されました。リンクはコチラです。

投稿日: 2019年2月9日投稿者: StudentStaff

シンポジウム講演イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜 03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3SiCへのイオン注入技術とデバイス応用〇木本恒暢11京大工 […]

投稿日: 2019年1月28日投稿者: StudentStaff

サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]