アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日）において、浅田聡志君（博士課程2回生）が「Effects of parasitic region in SiC bipolar junction transistors on forced current gain」の発表でStudent poster awardを受賞しました。