一般講演

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9月18日(水) 9:30 〜 11:30 [18a-P06-16]
n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作
〇金子 光顕¹、柴田 峻弥¹、松岡 大雅¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

9月19日(木) 14:30 〜 14:45 [19p-C41-7]
600°C熱処理によるp型SiC上の低抵抗Ptオーム性電極の形成
〇桑原 功太朗¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

9月19日(木) 16:45 〜 17:00 [19p-C41-15]
SiC MOSFETにおける量子閉じ込め効果と界面準位のエネルギー分布に関する考察
〇遅 熙倫¹、伊藤 滉二¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

9月19日(木) 17:00 〜 17:15 [19p-C41-16]
SiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧と移動度に与えるカウンタードープの効果
〇伊東 遼馬¹、井上 瑛¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

9月19日(木) 17:30 〜 17:45 [19p-C41-17]
SiC MOS 構造中に生成されるボディ層濃度に依存した固定電荷
〇三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)