2017年6月27日、前田拓也君(修士課程2回生)が「窒化ガリウム(GaN)縦型パワーデバイス実現に向けた基礎物性・デバイス評価」の研究に対して、電気電子情報学術振興財団より平成29年度原島博学術奨励賞を受賞しました。

鐘ヶ江一孝君（修士課程1回生）が卒業研究「n型GaN自立基板およびホモエピタキシャル成長層の電気的性質の評価」で第2回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

2017年4月22日、奥田貴史助教が「炭化珪素パワー半導体の物性制御およびデバイス性能の向上」の研究に対して、船井情報科学振興財団より研究奨励賞を受賞しました。奥田先生は現在、電気工学専攻・引原研究室の助教ですが、受賞対 […]