京都大学オープンキャンパス用に作成された本研究室の紹介動画が公開されました。
作者別: StudentStaff
立木馨大君(D3)が工学研究科吉田研究奨励賞を受賞
立木馨大君(D3)が「酸化過程排除によるSiC/酸化膜界面の高品質化」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。
Compound Semiconductor誌に本研究室の成果が掲載
半導体に関する国際的な業界誌であるCompound Semiconductor誌(2021年7月号)に本研究室のSiC MOS界面特性向上に関する研究成果が「20年ぶりの革新的な成果」として掲載され、巻頭の “ […]
原征大君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞
原征大君(D1)が「オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。
木本教授が APEX/JJAP編集貢献賞 を受賞
木本恒暢教授が学術誌APEX/JJAP編集運営に対する長年の貢献により、第19回APEX/JJAP編集貢献賞（応用物理学会）を受賞しました（3月16日）。木本教授の同賞受賞は第10回に続き2回目です。https://ww […]
2021年春の応用物理学会での発表予定
シンポジウム講演 パワーデバイスの最新動向と今後の展望3月16日(火) 14:15 〜 14:45 [16p-Z07-3]SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、小林 拓真1,2、立木 馨大1、松 […]
木本教授のAPEX Review論文がMost Readランキングの1位を獲得
SiCパワーデバイスの進展と欠陥制御を解説した木本教授のAPEX Review論文(Kimoto and Watanabe, Appl. Phys. Express 13, 120101 (2020)) が、APEX誌の […]
立木馨大君(D2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
2020秋季応用物理学会学術講演会における、「酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成」の発表に対し、立木馨大君（博士課程2回生）の講演奨励賞の受賞が内定しました。
木本教授が ISPSD 2020 Ohmi Best Paper Award を受賞
2020年9月にバーチャル開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD 2020)において、木本教授とトヨタ自動車の共同研究論文「Enhanced Performance of 50 nm […]
金祺民君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
金祺民君(修士課程１回生)が卒業研究「イオン注入による半絶縁性SiC基板上サイドゲートJFETの作製と横方向チャネリングの解析」で令和2年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました