オンライン開催された4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems 2021 (MEMRISYS 2021, 11/ […]
作者別: StudentStaff
原征大君(D1)がECSCRM2020-2021でBest Oral Presentation Awardを受賞
トゥール(フランス)/オンラインでハイブリッド開催された13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021 (ECSCR […]
無極性面活用によりSiC MOSFETの性能を6倍以上向上
SiC半導体で問題になっていた酸化膜/半導体界面欠陥を独自の手法で低減すると共に、実用上重要な結晶面（無極性面）を活用することで、SiCトランジスタ(MOSFET)の性能を6倍以上向上することに成功しました。詳細はこちら […]
2021年秋の応用物理学会での発表予定
一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月12日(日) 13:45 〜 14:00 [12p-S203-4]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性〇(DC)宮谷 俊輝1、 […]
木本教授の応用物理学会論文賞(解説論文賞)受賞が決定
木本教授が渡部先生（大阪大）と共同執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices, […]
小林拓真君(博士課程修了生)の応用物理学会論文奨励賞受賞が決定
小林拓真君(博士課程修了生、現 大阪大学助教)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文（“Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via […]
研究室紹介動画が公開
京都大学オープンキャンパス用に作成された本研究室の紹介動画が公開されました。
立木馨大君(D3)が工学研究科吉田研究奨励賞を受賞
立木馨大君(D3)が「酸化過程排除によるSiC/酸化膜界面の高品質化」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。
Compound Semiconductor誌に本研究室の成果が掲載
半導体に関する国際的な業界誌であるCompound Semiconductor誌(2021年7月号)に本研究室のSiC MOS界面特性向上に関する研究成果が「20年ぶりの革新的な成果」として掲載され、巻頭の “ […]
原征大君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞
原征大君(D1)が「オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。