原征大君(D1)が第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞

投稿日: 2022年1月18日投稿者: StudentStaff

オンラインで開催された第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、原征大君(博士課程1回生)が「高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

松岡大雅君(M1)が先進パワー半導体分科会第8回講演会で研究奨励賞を受賞

オンラインで開催された先進パワー半導体分科会　第8回講演会（12月9-10日）において、松岡大雅君（修士課程1回生）が「Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価」の発表で研究奨励賞を受賞しまし […]

オンラインで開催された2021年秋季応用物理学会学術講演会 (9/10-9/13) において、石川諒弥君（修士課程2回生）の「4H-SiCにおける電子移動度の異方性」の発表に対し講演奨励賞の受賞が内定しました。

投稿日: 2021年11月15日投稿者: StudentStaff

木本教授が半導体産業の展望について語った記事が日刊自動車新聞(10月29日)に大きく掲載されました。

オンライン開催された4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems 2021 (MEMRISYS 2021, 11/ […]

トゥール(フランス)/オンラインでハイブリッド開催された13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021 (ECSCR […]

SiC半導体で問題になっていた酸化膜/半導体界面欠陥を独自の手法で低減すると共に、実用上重要な結晶面（無極性面）を活用することで、SiCトランジスタ(MOSFET)の性能を6倍以上向上することに成功しました。詳細はこちら […]

投稿日: 2021年8月25日投稿者: StudentStaff

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月12日(日) 13:45 〜 14:00 [12p-S203-4]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性〇(DC)宮谷俊輝1、 […]

投稿日: 2021年8月2日投稿者: StudentStaff

木本教授が渡部先生（大阪大）と共同執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices, […]

小林拓真君(博士課程修了生、現大阪大学助教)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文（“Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via […]